Mostrando ítems 1-7 de 7
Lüders, Ulrike Anne (Fecha de defensa: 2005-05-20)
En esta memoria se describe el crecimiento, mediante pulverización catódica rf, de capas delgadas de NiFe2O4 y CoCr2O4 sobre distintos substratos y la subsiguiente caracterización magnética y eléctrica. ...
Gutiérrez Yatacue, Diego Fernando (Fecha de defensa: 2015-02-12)
La miniaturización ha sido el concepto relevante de la tecnología basada en silicio. No obstante, el escalamiento de su elemento pilar (el transistor de efecto de campo por apilamiento de metal/óxido/ ...
Pesquera Herrero, David (Fecha de defensa: 2014-10-10)
Mirjolet, Mathieu (Fecha de defensa: 2021-07-23)
Els òxids conductors transparents (TCO) són essencials en dispositius tecnològics. La seva capacitat per combinar una alta conductivitat elèctrica i transparència òptica a la llum visible, els fa ...
Dix, Nico (Fecha de defensa: 2017-04-27)
Els òxids complexos, particularment aquells que tenen estructura perovskita, presenten un ampli espectre de propietats funcionals. En l'ultima dècada s'ha posat molta atenció en materials que ...
Liu, Fanmao (Fecha de defensa: 2017-07-24)
BaTiO3 es un material de óxido ferroeléctrico sin plomo. BaTiO3 películas delgadas han sido ampliamente estudiados para aplicaciones de memoria debido a su efecto de memoria de carga resultante de su ...
Long, Xiao (Fecha de defensa: 2022-11-25)
El desenvolupament de la tecnologia de la informació s’acosta a un coll d’ampolla. Avui dia les memòries FLASH DRAM i NAND han mostrat inconvenients com la baixa retenció de la informació, temps de ...