Fons Lluís, Mariano (Date of defense: 2012-05-29)
Abstract The development of automatic biometrics-based personal recognition systems is a reality in the current technological age. Not only those operations demanding stringent security levels but also ...
García Elvira, David (Date of defense: 2021-06-08)
Aquesta tesi presenta equips, models i estratègies de control que han estat desenvolupats amb l'objectiu final de millorar el funcionament d'una microxarxa CC. Es proposen dues estratègies de control ...
Gräf, Michael (Date of defense: 2017-07-05)
Basat en un mecanisme de transport de corrent de banda a banda, el túnel-FET és capaç de superar la limitació de pendent sub-llindar física del MOSFET de 60 mV /dec. Per tant, s'ha convertit en un dels ...
Yilmaz, Kerim (Date of defense: 2022-02-24)
Les geometries de transistors d'avui són al rang de nanòmetres d'un sol dígit. En conseqüència, les funcionalitats dels dispositius es veuen afectades negativament pels efectes de canal curt i de mecànica ...
Fons Lluís, Francisco (Date of defense: 2012-05-29)
Abstract This doctoral thesis addresses the design of embedded electronic systems based on run-time reconfigurable hardware technology –available through SRAM-based FPGA/SoC devices– aimed at ...
Martínez Treviño, Blanca Areli (Date of defense: 2019-05-15)
Aquesta tesi descriu de manera analítica la connexió en cascada de convertidors amb les condicions de subministrament de la potència constant i proposa estratègies simples de control que poden fer front ...
Ramos Félix, Ángel (Date of defense: 2015-03-16)
Aquesta Tesi Doctoral estudia l'ús de tecnologia de ràdio banda ultraampla (UWB) per sistemes de identificació per radiofreqüència (RFID) i sensors sense fils. Les xarxes de sensors sense fils (WSNs), ...
Vergara Tinoco, Alexander (Date of defense: 2006-07-25)
Un dels majors problemes experimentats pels sistemes de detecció de gasos basats en sensors d'òxids metàl·lics és la seva manca de reproduibilitat, estabilitat i selectivitat. A fi i a efecte d'intentar ...
Hosenfeld, Fabian (Date of defense: 2017-12-15)
La corrent túnel de font a drenador (SD) disminueix el rendiment dels dispositius MOSFETs quan la longitud del canal cau per sota de 10 nm. La modelització dels efectes quàntics incloent la corrent túnel ...
Horst, Fabian (Date of defense: 2019-11-29)
En l'última dècada, el transistor d'efecte de camp amb efecte túnel (TFET) ha guanyat molt interès i es maneja com un possible successor de la tecnologia MOSFET convencional. El transport de càrrega en ...