Contribución al estudio de la influencia de los centros profundos en los diodos Schottky 

Esteve Pujol, Joan (Date of defense: 1976-10-01)

Dentro del gran desarrollo que en nuestros dias tienen los dispositivos electrónicos de estado sólido, el contacto metal –semiconductor diodo Schottky ha encontrado recientemente un interés renovado. Diversos progresos ...