Abd El Hamid, Hamdy Mohamed (Date of defense: 2007-05-16)
Aquesta tesi doctoral presenta models analítics electrostàtics i de transport de diferents tipus de transistors MOSFET de porta múltiple: Double-Gate (DG) MOSFET, Gate-All-Around MOSFETs i FinFETs.<br/>Les ...
Holtij, Thomas (Date of defense: 2014-09-18)
L’objectiu principal d’aquest treball és el desenvolupament d’un model compacte per a MOSFETs de múltiple porta d’escala nanomètrica, que sigui analític, basat en la física del dispositiu, i predictiu ...
Moldovan, Oana (Date of defense: 2008-05-19)
En esta tesis hemos desarrollado los modelos compactos explícitos de carga y de capacitancia adaptados para los dispositivos dopados y no dopados de canal largo (DG MOSFETs dopados, DG MOSFETs no dopados, ...