dc.contributor
Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor.author
Crespo Yepes, Albert
dc.date.accessioned
2013-03-01T09:28:22Z
dc.date.available
2013-03-01T09:28:22Z
dc.date.issued
2012-12-18
dc.identifier.isbn
9788449034558
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/10803/107847
dc.description.abstract
Resums pendents
cat
dc.format.mimetype
application/pdf
dc.publisher
Universitat Autònoma de Barcelona
dc.rights.license
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
dc.source
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.subject
CMos Reliabilith
dc.subject.other
Tecnologies
dc.title
Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado
dc.type
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.contributor.authoremail
albert.crespo@uab.es
dc.contributor.director
Rodríguez Martínez, Rosana
dc.contributor.director
Martín Martínez, Javier
dc.rights.accessLevel
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.identifier.dl
B-7537-2013
