CAFM Nanoscale electrical properties and reliability of HfOz based gate dielectrics in electron devices : Impact of the polycrystallization and resistive switching 

Iglesias Santiso, Vanessa (Date of defense: 2012-11-30)

La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante ...