Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I. Ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM 

Porti i Pujal, Marc (Date of defense: 2003-04-04)

La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura ...

Non-linear nanoelectromechanical systems for energy harvesting 

López Suárez, Miquel (Date of defense: 2014-04-30)

Les Tecnologies de la Informació i la Comunicació (TICs) es troben arreu i experimenten un creixement del 5% cada any amb aplicacions en diverses àrees que comprenen des de la telefonia mòbil al control mèdic de la salut. ...

Quantum many-particle electron transport in time-dependent systems with Bohmian trajectories 

Alarcón Pardo, Alfonso (Date of defense: 2011-04-05)

Es conocido que a escalas nanométricas se debe tratar con en el problema de muchas partículas a la hora de estudiar dispositivos electrónicos. Es estos escenarios, la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo para ...

Silicon Nanowire growth technologies for nanomechanical devices 

Fernández Regúlez, Marta (Date of defense: 2012-09-14)

Nanohilos de silicio obtenidos mediante el mecanismo de vapor-liquido-solido (VLS) ofrecen extraordinarias propiedades para aplicaciones en dispositivos nanomecánicos. Su calidad estructural (baja densidad de defectos, ...

Thermal Conductivity and Specific Heat Measurements for Power Electronics Packaging Materials. Effective Thermal Conductivity Steady State and Transient Thermal Parameter Identification Methods 

Madrid Lozano, Francesc (Date of defense: 2005-03-06)