Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs 

Farokhnejad, Atieh (Date of defense: 2020-07-16)

La miniaturització dels MOSFET en els circuits integrats ha elevat la tecnologia microelectrònica. Aquesta tendència també augmenta el grau de complexitat d'aquests circuits i els seus components bàsics. En els MOSFET ...