Ara mostrant els elements 1-1 de 1
Gräf, Michael (Data de defensa: 2017-07-05)
Basat en un mecanisme de transport de corrent de banda a banda, el túnel-FET és capaç de superar la limitació de pendent sub-llindar física del MOSFET de 60 mV /dec. Per tant, s'ha convertit en un dels ...