dc.contributor
Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
dc.contributor.author
Weidemann, Michaela Patricia
dc.date.accessioned
2011-12-29T11:36:22Z
dc.date.available
2011-12-29T11:36:22Z
dc.date.issued
2011-01-12
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/10803/52800
dc.description.abstract
In this thesis the pinch-off behavior in nanoscale Multi-Gate MOSFETs was reviewed and with compact models described. For this a 2D approach with Schwarz-Christoffel conformal mapping technique was used. A model to calculate the current in single gate MOSFETs was derived and compared to device simulations from TCAD Sentaurus down to 50nm. For the DoubleGate MOSFET a new way to define the saturation point was found. A fully 2D closed-form model to locate this point was created. It was also found that with quantum mechanics effects a pinch-off point can occur and can be described with the same model. Furthermore the model was extended to describe the coupled pinch-off points in an asymmetrical biased DoubleGate MOSET with an even an odd mode. Also the saturation point behavior in FinFETs was examinated.
und
dc.format.mimetype
application/pdf
dc.publisher
Universitat Rovira i Virgili
dc.rights.license
ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
dc.source
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.title
Analytical predictive 2d modeling of pinch-off behavior in nanoscale multi-gate mosfets
dc.type
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.contributor.authoremail
michaela.weidemann@gmail.com
dc.contributor.director
Íñiguez Nicolau, Benjamí
dc.contributor.codirector
Kloes, Alexander
dc.rights.accessLevel
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.identifier.dl
T-1801-2011
