Propiedades vibracionales en el sistema (In,Ga)As

Abstract

Los materiales del sistema (In,Ga)As han presentado un gran interés en los últimos años debido al amplio rango de aplicaciones que presentan como dispositivos optoelectrónicos.

La implantación iónica permite la introducción de impurezas en el material una vez crecido el mismo. No obstante, la introducción de dichas impurezas produce la destrucción de la estructura cristalina, por lo que son necesarios procesos térmicos posteriores para su recuperación. Mediante espectroscopia Raman se ha realizado un estudio en Un0.53Ga0.47As dopado con Si+ sobre la pérdida de cristalinidad en los procesos de implantación y posterior recuperación de su estructura durante los tratamientos térmicos. Se ha podido observar una excelente recuperación cristalina junto con una elevada activación eléctrica.

La incorporación de carga al material da lugar a unas excitaciones de plasma que se acoplan con los modos longitudinales ópticos del sistema. Se ha realizado un estudio en profundidad mediante espectroscopia Raman sobre los modos acoplados entre plasmones y fonones longitudinales ópticos en In1-xGaxAs dopado epitaxialmente. Los resultados obtenidos son extensibles a otros compuestos ternarios. Mediante espectroscopia infrarroja ha sido realizado el primer estudio de modos acoplados en sistemas binarios y ternarios.

Otras estructuras del sistema (InGa)As que presentan múltiples aplicaciones son los self-assembled quantum dots. Estos materiales dan lugar a una elevada eficiencia luminiscente, por lo que son materiales muy adecuados para la fabricación de láseres. Las propiedades vibracionales de estos sistemas no han sido bien estudiadas, por lo que se ha realizado un estudio mediante espectroscopia Raman de sistemas de QDs de InAs sobre GaAs. Se ha podido establecer de forma inequívoca que los fonones observados provienen de los QDs y no de la wetting layer.