Doping and interface effects on the ferroelectric properties of epitaxial HfO2-based thin films 

Song, Tingfeng (Date of defense: 2022-09-19)

Les capas fines ferroeléctricas basades en HfO2, a causa de la seva alta escalabilidad i a la seva compatibilitat amb processos complementary metal oxide semiconductor - CMOS, han centrat un gran interès en el camp dels ...