Departament de Física Aplicada i Electrònica

La Universitat de Barcelona és la universitat pública principal de Catalunya, amb el nombre més gran d’estudiants i l’oferta formativa més àmplia i completa. A més, és el principal centre de recerca universitari de l’Estat i un dels més importants d’Europa, tant per nombre de programes de recerca com per l’excel·lència assolida en aquest terreny.Estretament vinculada a la història de Barcelona i de Catalunya, la UB combina els valors de la tradició amb el fet de ser una institució innovadora i d’excel·lència en l’àmbit docent, i és una universitat urbana, oberta i cosmopolita com la mateixa ciutat de Barcelona.Us convidem a conèixer la Universitat de Barcelona!


Si sou doctor o doctora de la Universitat de Barcelona i voleu publicar la vostra tesi a TDX, contacteu amb tdx@ub.edu. Per a més informació consulteu les preguntes més freqüents

Recent Submissions

Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio 

Vilà i Arbonès, Anna Maria (Date of defense: 1995-01-01)

El objetivo de este trabajo consiste en la caracterización estructural de las capas de arseniuro de galio (GaAs) epitaxiadas sobre sustratos de silicio (Si) de cara a una mayor comprensión de los procesos de nucleación y ...

Modificaciones estructurales en el óxido de silicio térmico inducidas por los procesos tecnológicos en microelectrónica: aplicación de la espectroscopía infrarroja 

Garrido Fernández, Blas (Date of defense: 1993-01-01)

A lo largo de este trabajo se han estudiado la estructura y propiedades del SiO(2) y de su interficie con el silicio. La estructura del sistema depende de la tecnología empleada en el crecimiento del óxido y de los ...

Caracterización por microscopía electrónica de transmisión de heteroestructuras InGaAs/InAIAs crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de InP 

Peiró Martínez, Francisca (Date of defense: 1993-09-03)

La finalidad de la investigación es la optimización del crecimiento de estructuras InX Ga1-XAs/InYA11-YAs/InP, para la obtención de dispositivos HEMT funcionales. Previamente se ha optimizado la preparacion de muestras ...