Novel nanoelectronic circuits and systems

dc.contributor
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor.author
Rallis, Konstantinos
dc.date.accessioned
2024-06-11T11:33:26Z
dc.date.available
2024-06-11T11:33:26Z
dc.date.issued
2024-05-09
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/10803/691415
dc.description.abstract
(English) Lately, in the rise of the era of 2D materials, Graphene is one of the materials that has been extensively investigated for its possible integration in computing devices and thus computing circuits. This is mainly attributed to its very wide set of appealing properties. The combination of its electronic properties with others, such as mechanical, optical or chemical properties, can extend the range of use of computing devices and lead to groundbreaking interdisciplinary applications. However, this integration of Graphene in switching and computing elements is not easy. In this dissertation, the Non-Equilibrium Green's Function method (NEGF), along with the Tight Binding Hamiltonians, are fitted on experimental data from fabricated Graphene devices. Although as a computational method, NEGF is appropriate for the simulation of small-scale devices in the regime of nanometers, its ability to be efficiently expanded for the description of larger devices is presented. The aforementioned electronic properties of the material are highly related to its shape and structure. Consequently, it requires a very precise fabrication method that can guarantee the minimum presence of defects on the Graphene grid. For that reason, the effect of defects is deeply investigated. The NEGF method is further enhanced in order to be able to incorporate lattice defects. The most common lattice defects are included, meaning the single and double vacancy. A framework has thus been created, so that for the first time the user can select areas of interest on the grid, in which the defects will be concentrated. Those concentrations can also be variable. Moreover, an extensive study is conducted on defective grids with different concentrations of single and double vacancies. The investigated grids are non-rectangular and have regions with different widths. The effect of those vacancies on the electronic properties of Graphene is investigated, and more specifically their effect on the conductance and the energy gap of the device, as well as the effect on circuit-centered characteristics such as the leakage current and ON/OFF current ratio. Having a functional, robust, versatile, and accurate model, the focus of this thesis is extended to the level of circuits. The model is imported into SPICE through Verilog-A. In this part, the thesis emphasizes on the investigation of the switching capabilities of L-shaped Graphene Nanoribbons (GNRs). These structures have been proven to be able to operate as switches, without the use of a back gate, and here, the properties that are dependent on their dimensions are explored and optimized for the first time. The optimized structures are then used for the realization of a set of computing topologies. Initially, a novel area-optimized 2-branch comb-shaped topology is introduced for the realization of a universal computing set that consists of an AND, OR, NOT gate, and a Buffer. All these logic operations can be mapped on the same topology through appropriate biasing. Then, an extension of this, the 3-branch comb-shaped topology is proposed, which is able to operate as a 2-XOR, 3-XOR and 3-MAJ gate. The circuit of a 1-bit full adder, is also presented. For the evaluation of the performance of the topologies, several related metrics are employed such as the area, delay, power dissipation and the power-delay product. The operation of these topologies relies of the principles of Pass Transistor Logic (PTL) and reconfigurable computing. Finally, in an attempt to go beyond the conventional Boolean logic, the compliance of Graphene with Multi-Valued Logic (MVL) circuits and applications is investigated. The ability of a Graphene Quantum Point Contact (G-QPC) device to encode the digits of the radix-4 numeral system is presented and as a proof of concept, the operation of an arbitrary radix-4 adder is explained.
ca
dc.description.abstract
(Català) En definitiva, a l'altura de l'era dels materials bidimensionals, el grafè és un dels materials que s'ha investigat àmpliament per la seva possible integració en dispositius informàtics i circuits informàtics. Això es deu principalment al seu conjunt molt gran de propietats atractives. La combinació de les seves propietats electròniques amb altres, com ara mecàniques, òptiques o químiques, pot ampliar el ventall d'ús dels dispositius informàtics i aportar aplicacions interdisciplinàries revolucionàries. Sense embargo, aquesta integració del grapheno en elements de commutació i còmput no és fàcil. En aquesta tesi, el mètode Non-Equilibrium Green's Function (NEGF), juntament amb els Tight Binding Hamiltonians, s'ajusten a les dades experimentals dels dispositius de grafè fabricats. Tot i que NEGF és adequat per a la simulació de dispositius a petita escala en règim de nanòmetres, es presenta la seva capacitat d'ampliar-se de manera eficient per a la descripció de dispositius més grans. Les propietats electròniques esmentades en el material estan molt relacionades amb la seva forma i estructura. Per tant, requereix un mètode de fabricació molt precís que pugui garantir la mínima presència de defectes a la graella de grafè. Per aquesta raó, l'efecte dels errors s'investiga profundament. El mètode NEGF es millora encara més per poder incorporar defectes a la xarxa. Inclouen vacants individuals i dobles. D'aquesta manera, s'ha creat un marc perquè l'usuari pugui seleccionar zones d'interès de la quadrícula, en les quals es concentraran els defectes. Aquestes concentracions poden ser variables. A més, es porta a la tesi es realitza un extens estudio en reixes defectes amb diferents concentracions de singles i dobles vacancies. Les quadrícules investigades no són rectangulars i tenen regions amb diferents amplades. S'investiga l'efecte d'aquestes vacants sobre les propietats electròniques del grafè i, més concretament, el seu efecte sobre la conductància i el gap of energy del dispositiu, així com l'efecte sobre característiques centrades en el circuit com ara el corrent de fuga i la relació de corrent ON/OFF. Tenint un model robust i versàtil, el focus d'aquesta tesi s'estén al nivell de circuits. El model s'importa a SPICE mitjançant Verilog-A. En aquesta part, la tesi posa èmfasi en la investigació de les capacitats de commutació dels nanoribbons de grafè (GNR) en forma de L. S'ha demostrat que aquestes estructures poden funcionar com a interruptors, sense l'ús de porta posterior, i aquí, las propietats que depenen de les seves dimensions es explorar i optimitzar. Les estructures optimitzades s'utilitzen llavors per a la realització d'un conjunt de topologies d'ordinador. Inicialment, s'introdueix una topologia en forma de quadrícula de 2 branques optimitzada en àrea per a la realització d'un conjunt de computació universal que consta d'una porta AND, OR, NOT i un buffer. Totes aquestes operacions lògiques es poden mapejar a la mateixa topologia mitjançant un biaix adequat. Aleshores, es proposa una extensió d'aquesta, la topologia en forma d'arbre de 3 branques, que és capaç d'operar com a porta 2-XOR, 3-XOR i 3-MAJ. També es presenta el circuit d'un sumador complet d'1 bit. Per a l'avaluació del rendiment de les topologies s'utilitzen diverses mètriques com ara l'àrea, el retard, la dissipació de potència i el producte de retard de potència. El funcionament d'aquestes topologies es basa en els principis de Pass Transistor Logic (PTL) i informàtica reconfigurable. Finalment, en un intent d'anar més enllà de la lògica booleana convencional, s'investiga la conformitat del grafè amb els circuits i aplicacions de la lògica de valors múltiples (MVL). Es presenta la capacitat d'un dispositiu de contacte quàntic puntual de grafè per codificar els dígits del sistema numèric de base-4 i com a prova de concepte, s'explica el funcionament d'un sumador arbitrari de base-4.
ca
dc.description.abstract
(Español) Últimamente, en el auge de la era de los materiales bidimensionales, el grafeno es uno de los materiales que ha sido ampliamente investigado por su posible integración en dispositivos de cómputo y en circuitos informáticos. Esto se debe principalmente a su muy amplio conjunto de propiedades atractivas. La combinación de sus propiedades electrónicas con otras, como las mecánicas, ópticas o químicas, puede extender el rango de uso de los dispositivos de cómputo y llevar a aplicaciones interdisciplinarias revolucionarias. Sin embargo, esta integración del grafeno en elementos de conmutación y cómputo no es fácil. En esta disertación, el método de la Función de Green Fuera del Equilibrio (NEGF), junto con los Hamiltonianos de Unión Apretada, se ajustan a datos experimentales de dispositivos de grafeno fabricados. Aunque NEGF es apropiado para la simulación de dispositivos a pequeña escala en el régimen de nanómetros, su capacidad para ser expandido eficientemente para la descripción de dispositivos más grandes se presenta. Las propiedades electrónicas mencionadas del material están altamente relacionadas con su forma y estructura. Por consiguiente, requiere un método de fabricación muy preciso que pueda garantizar la mínima presencia de defectos en la rejilla de grafeno. Por esa razón, el efecto de los defectos se investiga profundamente. El método NEGF se mejora aún más para poder incorporar defectos en la red. Se incluyen la vacante simple y doble. De esta manera, se ha creado un marco, para que el usuario pueda seleccionar áreas de interés en la rejilla, en las cuales se concentrarán los defectos. Esas concentraciones pueden ser variables. Además, se lleva a cabo un estudio extenso en rejillas defectuosas con diferentes concentraciones de vacantes simples y dobles. Las rejillas investigadas son no rectangulares y tienen regiones con diferentes anchuras. Se investiga el efecto de esas vacantes en las propiedades electrónicas del grafeno, y más específicamente su efecto en la conductancia y la brecha de energía del dispositivo, así como el efecto en características centradas en el circuito como la corriente de fuga y la relación de corriente ON/OFF. Teniendo un modelo robusto y versátil, el enfoque de esta tesis se extiende al nivel de circuitos. El modelo se importa a SPICE a través de Verilog-A. En esta parte, la tesis enfatiza en la investigación de las capacidades de conmutación de las Nanocintas de Grafeno (GNRs) en forma de L. Estas estructuras han demostrado ser capaces de operar como interruptores, sin el uso de una puerta trasera, y aquí, las propiedades que dependen de sus dimensiones se exploran y optimizan. Las estructuras optimizadas se utilizan para la realización de un conjunto de topologías de cómputo. Inicialmente, se introduce una topología en forma de peine de 2-ramas optimizada en área para la realización de un conjunto de cómputo universal que consiste en una puerta AND, OR, NOT y un Buffer. Todas estas operaciones lógicas se pueden mapear en la misma topología a través de un sesgo apropiado. Luego, se propone una extensión de esta, la topología en forma de peine de 3-ramas, que es capaz de operar como una puerta 2-XOR, 3-XOR y 3-MAJ. También se presenta el circuito de un sumador completo de 1-bit. Para la evaluación del rendimiento de las topologías, se emplean varias métricas como el área, el retraso, la disipación de potencia y el producto potencia-retraso. El funcionamiento de estas topologías se basa en los principios de la Lógica de Transistor de Paso (PTL) y la computación reconfigurable. Finalmente, en un intento de ir más allá de la lógica Booleana convencional, se investiga la conformidad del grafeno con circuitos y aplicaciones de Lógica de Múltiples Valores (MVL). Se presenta la capacidad de un dispositivo de Contacto Cuántico Puntual de Grafeno para codificar los dígitos del sistema numérico de base-4 y como prueba de concepto, se explica el funcionamiento de un sumador de base-4 arbitrario.
ca
dc.format.extent
173 p.
ca
dc.language.iso
eng
ca
dc.publisher
Universitat Politècnica de Catalunya
dc.rights.license
ADVERTIMENT. Tots els drets reservats. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
ca
dc.source
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.subject.other
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
ca
dc.title
Novel nanoelectronic circuits and systems
ca
dc.type
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.subject.udc
621.3
ca
dc.contributor.director
Rubio Sola, Jose Antonio
dc.contributor.codirector
Sirakoulis, Georgios
dc.embargo.terms
cap
ca
dc.rights.accessLevel
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.description.degree
DOCTORAT EN ENGINYERIA ELECTRÒNICA (Pla 2013)


Documents

TKR1de1.pdf

6.755Mb PDF

This item appears in the following Collection(s)