Corea Araujo, Javier Arturo (Date of defense: 2015-07-15)
La Ferroresonancia és un dels fenòmens transitoris més destructius dels sistemes de potència. Associa inductàncies no lineals i capacitancias del sistema, iniciant-se de maneres diferents, el que fa ...
Annanouch, Fatima Ezahra (Date of defense: 2015-04-30)
En aquesta tesi, he estudiat i desenvolupat un mètode de deposició química en fase vapor assistit per aerosol (AACVD), per al creixement directe de nanoagulles d'òxid de tungstè funcionalitzades o ...
Leise, Jakob Simon (Date of defense: 2022-04-26)
Els transistors orgànics de capa prima són candidats prometedors per a noves aplicacions electròniques a causa de la possibilitat de fabricar dispositius electrònics orgànics a baixes temperatures sobre ...
Muhea, Wondwosen Eshetu (Date of defense: 2019-07-08)
El'objectiu d'aquesta tesi és el modelatge compacte basat en la física dels transistors de pel·lícula prima i d'alta mobilitat d'electrons (TFTs, HEMTs). En primer lloc, s'ha realitzat la caracterització ...
Mohamed Abdelkarim, Reham Haroun (Date of defense: 2014-10-23)
En aquesta tesis, es proposarà, com a solució per al disseny d’etapes d’elevat guany en aplicacions fotovoltaiques, la connexió en cascada d’elements canònics per al processat de potència basats en el ...
Milici, Stefano (Date of defense: 2019-07-23)
Aquesta tesi aborda el problema de trobar solucions confortables, de baixa potència i sense fils per aplicacions mèdiques. La tesi tracta els avantatges i les limitacions de tres tecnologies de comunicació ...
Fons Lluís, Mariano (Date of defense: 2012-05-29)
Abstract The development of automatic biometrics-based personal recognition systems is a reality in the current technological age. Not only those operations demanding stringent security levels but also ...
García Elvira, David (Date of defense: 2021-06-08)
Aquesta tesi presenta equips, models i estratègies de control que han estat desenvolupats amb l'objectiu final de millorar el funcionament d'una microxarxa CC. Es proposen dues estratègies de control ...
Gräf, Michael (Date of defense: 2017-07-05)
Basat en un mecanisme de transport de corrent de banda a banda, el túnel-FET és capaç de superar la limitació de pendent sub-llindar física del MOSFET de 60 mV /dec. Per tant, s'ha convertit en un dels ...
Yilmaz, Kerim (Date of defense: 2022-02-24)
Les geometries de transistors d'avui són al rang de nanòmetres d'un sol dígit. En conseqüència, les funcionalitats dels dispositius es veuen afectades negativament pels efectes de canal curt i de mecànica ...