dc.contributor
Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona
dc.contributor.author
López Mir, Laura
dc.date.accessioned
2018-03-13T10:25:23Z
dc.date.available
2018-03-13T10:25:23Z
dc.date.issued
2018-03-02
dc.identifier.isbn
9788449078705
en_US
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/10803/462765
dc.description.abstract
Els òxids basats en manganites de lantà formen una extensa família de compostos
derivats del LaMnO3: una perovskita de la forma general ABO3. Les propietats
físiques d’aquesta es poden modi car substancialment per substitució catiònica. En
aquesta tesi estudiem dos compostos obtinguts per substitució dels cations A i B.
D’una banda, el La2Co0.8Mn1.2O6 (LCMO), obtingut per substitució del Mn per Co
(catió B), que conforma una estructura doble perovkita amb propietats aïllants i ferromagnètiques.
D’altra banda, el La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) format per substitució parcial
de La per Sr (catió A) i que resulta en un material metàl.lic i ferromagnètic.
El desenvolupament de tècniques de creixement de materials òxids en forma de
capes primes els dóna un gran potencial per ser integrats en la tecnologia de semiconductors
i per dissenyar dispositius micro i nanomètrics per a aplicacions en spintrònica
i memòries no-volàtils. Actualment hi ha gran interès en l’estudi de capes
primes de perovskites dobles amb propietats ferromagnètiques i aïllants, ja que tenen
una temperatura de transició relativament alta i són fàcils d’integrar sobre altres òxids.
La implementació d’aïllants ferromagnètics com a substituts dels dispositius ferromagnètics
basats en metalls pot conduir a una e ciència de commutació molt més
gran i un transport de corrent menys dissipatiu. Assolir capes ultra primes d’aquests
materials permetria obtenir una barrera túnel activa que selecciona l’espín, per tant
actua com a ltre d’aquest. Així, l’objectiu principal de la primera part d’aquesta tesi
és comprendre les propietats físiques del LCMO i obrir una via per futures aplicacions
potencials.
En primer lloc, es presenta un estudi detallat del creixement i la caracterització
estructural i magnètica de capes primes de LCMO. Demostrem que podem obtenir
capes d’alta qualitat, amb temperatures de transició de ns a 230 K i amb un bon
ordre catiònic tot i petites desviacions de l’estequiometria. A continuació, analitzem
els efectes d’anisotropia magnètica centrats en els aspectes següents: 1) l’estudi de
l’aparició d’una forta anisotropia magnètica perpendicular (PMA) amb un alt camp
coercitiu i d’anisotropia, i 2) la relació del signe i la força de l’anisotropia magnètica
amb els desajustos estructurals amb el substrat. En particular, la PMA apareix en el
cas que la tensió sigui expansiva mentre que la tensió compressiva produeix un eix
fàcil d’imantació dins el pla.
Per trobar una explicació a l’origen de l’anisotropia magnètica desenvolupem un
model atòmic simple basat en càlculs de primer ordre de teoria de pertorbacions. A
més, relacionem les prediccions extretes amb experiments de dicroisme magnètic circular de raigs X (XMCD tot demostrant que l’anisotropia magnètica en l’LCMO
té un origen magnetocristal.lí a causa del fort acoblament d’espín-òrbita del Co2+.
Amb l’objectiu d’integrar les propietats aïllants ferromagnètiques i la PMA en
un dispositiu, hem fabricat unions túnel utilitzant el LCMO com a barrera magnèticament
activa i hem explorat les seves funcionalitats d’espín. Hem trobat que el
dispositiu proporciona una alta e ciència de ltratge d’espín (gairebé el 100% de polarització)
i funcionalitats de sensor i memòria anisotròpica. És a dir, que la forta
PMA induïa per la tensió epitaxial provoca una gran diferència entre les corbes de
magnetoresistència mesurades amb el camp magnètic aplicat perpendicular o parallelament;
aquesta és l’anomenada magnetoresistència túnel anisotròpica (TAMR).
S’han trobat valors de TAMR de 20-30%. Finalment, s’ha provat que el dispositiu pot
funcionar com una memòria magnètica ja que podem detectar dos estat no volàtils
de resistència ben diferenciats que s’escriuen canviant la direcció del camp magnètic
aplicat.
En la darrera part de la tesi, s’han presentat resultats basats en l’altre sistema de
manganita, el LSMO. Mostrem que les inestabilitats del creixement poden conduir a
la formació de superfícies de doble terminació. Allunyar-se del comportament ideal
de creixement constitueix una forma d’obtenir nanoestructures formades espontàniament
amb propietats funcionals locals en superfícies. Les propietats de transport
i la composició d’aquestes superfícies s’analitzen utilitzant tècniques de sonda
d’escaneig i microscopia electrònica de fotoemissió amb resolució lateral. Aquestes
tècniques sensibles a la superfície són adequades per caracteritzar les propietats a la
nanoescala d’aquest tipus de sistemes.
en_US
dc.description.abstract
Lanthanum manganite-based oxides conform an extensive family of compounds deriving
from LaMnO3: a perovskite with general formula ABO3. Its physical properties
can be drastically modified by cation substitution. In this thesis we explore
two compounds obtained by A-site and B-site substitutions. On the one hand,
La2Co0.8Mn1.2O6 (LCMO), obtained by substitution of Mn by Co (B-site substitution),
leads to a double perovskite structure with ferromagnetic insulating properties. On
the other side, the La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) compound resulting from the partial substitution
of La by Sr (A-site substitution) turns the material into a ferromagnetic
half-metal.
The development of techniques for the growth of oxide materials in the form of
thin films ease their integration in semiconductors technology and enable the design
of micro and nanoscale devices with potential in spintronics and non-volatile
memory applications. Nowadays, there is an increasing interest in the study of double
perovskite thin films combining ferromagnetic and insulating properties due to
their relatively high transition temperature and their integration on top of other perovskite
oxides. The implementation of ferromagnetic insulators (FM-I) as substitutes
of ferromagnetic metal-based devices can lead to much higher switching eficiency
and less dissipative current transport. For instance, ultrathin films of (FM-I) might
be used as spin-selective active tunneling barriers acting as spin-filters. Therefore,
the main objective of the first part of this thesis has been to give a comprehensive
understanding of LCMO physical properties and propose a guide to potential applications.
Firstly, we present a detailed study of the growth of the LCMO films as well as
their structural and magnetic characterization. We demonstrate that we can obtain
high quality thin films, with transition temperatures up to 230 K and with good
cationic order despite a certain degree of off-stoichiometry. Then, we analyze magnetic
anisotropy effects, focusing on the following aspects: i) the study of the appearance
of strong perpendicular magnetic anisotropy (PMA) with large coercive
and anisotropy fields, and ii) the relation of magnetic anisotropy strength and sign
with lattice mismatches. In particular, we show that PMA appears for the tensile
strain case while compressive strain produces in-plane easy axis. We also give a
more detailed understanding of the origin of magnetic anisotropy using a simple
atomistic model based on first-order perturbation theory calculations.We relate our
predictions with X-ray magnetic circular dichroism (XMCD) experiments and evidence that magnetic anisotropy in LCMO has a magnetocrystalline origin due to the
strong spin-orbit coupling of Co2+ ions.
With the aim of integrating ferromagnetic insulating properties and PMA in a
device, we have fabricated tunnel junctions using LCMO as a magnetically active
barrier and have explored its spin-derived functionalities. We have found that the
device provides high spin-filtering effciency (of almost 100% of spin-polarization)
as well as anisotropic sensing and memory functionalities. This is, the strong straininduced
PMA provokes a large difference between magnetoresistance curves measured
with the magnetic field applied in the perpendicular or parallel directions,
this phenomenon is the so called tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR).
TAMR values as high as 20-30% have been found. Finally, we have proven that the
device can be used as a magnetic memory as we can detect the existence of two nonvolatile
resistive state that switches depending on the direction of the magnetic field
used to write it.
The last part of thesis presents results focused on the A-substituted manganite,
LSMO, thin films. We show that growth instabilities can lead to the formation of
double-terminated surfaces. Indeed, deviations from the ideal growth behaviour
constitute a way to obtain spontaneously formed nanostructures with modulated
local functional properties at the surface. The transport properties and the composition
of these films have been analyzed by making use of scanning probe techniques
and space-resolved photoemission electron microscopy, which are surface-sensitive
techniques suitable to characterize properties at the nanoscale of this type of systems.
en_US
dc.format.extent
197 p.
en_US
dc.format.mimetype
application/pdf
dc.language.iso
eng
en_US
dc.publisher
Universitat Autònoma de Barcelona
dc.rights.license
L'accés als continguts d'aquesta tesi queda condicionat a l'acceptació de les condicions d'ús establertes per la següent llicència Creative Commons: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.rights.uri
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
*
dc.source
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.subject
Òxids funcionals
en_US
dc.subject
Óxidos funcionales
en_US
dc.subject
Functional oxides
en_US
dc.subject
Espintrònica
en_US
dc.subject
Espintrónica
en_US
dc.subject
Spintronics
en_US
dc.subject
Magnetisme
en_US
dc.subject
Magnetismo
en_US
dc.subject
Magnetism
en_US
dc.subject.other
Ciències Experimentals
en_US
dc.title
Transport phenomena and magnetism in nanostructures of lanthanum manganitebased oxide thin films
en_US
dc.type
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.contributor.authoremail
lauralopezmir@gmail.com
en_US
dc.contributor.director
Balcells, Lluis
dc.contributor.director
Ocal García, Carmen
dc.contributor.director
Frontera Beccaria, Carlos
dc.contributor.tutor
Sort Viñas, Jordi
dc.embargo.terms
cap
en_US
dc.rights.accessLevel
info:eu-repo/semantics/openAccess