Structural effects on the performance of 2D metal/semiconductor contacts and RRAM devices: first-principles and molecular dynamics studies 

Urquiza Toledo, María Laura (Fecha de defensa: 2020-12-18)

A la present tesi s’han estudiat propietats de transport electrònic en unions laterals metall-semiconductor de MoS2, utilizant funcions de Green de no equilibri, destinades a contactar canals 2D en transistors. Els resultats ...