Mostrando ítems 3-4 de 4
Gual i Obradors, Jordi (Fecha de defensa: 1992-01-01)
[cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què ...
Garrido Fernández, Blas (Fecha de defensa: 1993-01-01)
A lo largo de este trabajo se han estudiado la estructura y propiedades del SiO(2) y de su interficie con el silicio. La estructura del sistema depende de la tecnología empleada en el crecimiento del óxido y de los ...