Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant 

    Gual i Obradors, Jordi (Fecha de defensa: 1992-01-01)

    [cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què ...

    Modificaciones estructurales en el óxido de silicio térmico inducidas por los procesos tecnológicos en microelectrónica: aplicación de la espectroscopía infrarroja 

    Garrido Fernández, Blas (Fecha de defensa: 1993-01-01)

    A lo largo de este trabajo se han estudiado la estructura y propiedades del SiO(2) y de su interficie con el silicio. La estructura del sistema depende de la tecnología empleada en el crecimiento del óxido y de los ...