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Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio

Vilà i Arbonès, Anna Maria (Data de defensa: 1995-01-01)

El objetivo de este trabajo consiste en la caracterización estructural de las capas de arseniuro de galio (GaAs) epitaxiadas sobre sustratos de silicio (Si) de cara a una mayor comprensión de los procesos de nucleación y ...

Caracterización por microscopía electrónica de transmisión de heteroestructuras InGaAs/InAIAs crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de InP

Peiró Martínez, Francisca (Data de defensa: 1993-09-03)

La finalidad de la investigación es la optimización del crecimiento de estructuras InX Ga1-XAs/InYA11-YAs/InP, para la obtención de dispositivos HEMT funcionales. Previamente se ha optimizado la preparacion de muestras ...

Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant

Gual i Obradors, Jordi (Data de defensa: 1992-01-01)

[cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què ...

Modificaciones estructurales en el óxido de silicio térmico inducidas por los procesos tecnológicos en microelectrónica: aplicación de la espectroscopía infrarroja

Garrido Fernández, Blas (Data de defensa: 1993-01-01)

A lo largo de este trabajo se han estudiado la estructura y propiedades del SiO(2) y de su interficie con el silicio. La estructura del sistema depende de la tecnología empleada en el crecimiento del óxido y de los ...