Listando Departament de Física Aplicada i Electrònica por Fecha de defensa

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Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant

Gual i Obradors, Jordi (Fecha de defensa: 1992-01-01)

[cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què ...

Modificaciones estructurales en el óxido de silicio térmico inducidas por los procesos tecnológicos en microelectrónica: aplicación de la espectroscopía infrarroja

Garrido Fernández, Blas (Fecha de defensa: 1993-01-01)

A lo largo de este trabajo se han estudiado la estructura y propiedades del SiO(2) y de su interficie con el silicio. La estructura del sistema depende de la tecnología empleada en el crecimiento del óxido y de los ...

Caracterización por microscopía electrónica de transmisión de heteroestructuras InGaAs/InAIAs crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de InP

Peiró Martínez, Francisca (Fecha de defensa: 1993-09-03)

La finalidad de la investigación es la optimización del crecimiento de estructuras InX Ga1-XAs/InYA11-YAs/InP, para la obtención de dispositivos HEMT funcionales. Previamente se ha optimizado la preparacion de muestras ...

Caracterización estructural por microscopia electrónica de transmisión de capas de arseniuro de galio epitaxiadas sobre sustratos de silicio

Vilà i Arbonès, Anna Maria (Fecha de defensa: 1995-01-01)

El objetivo de este trabajo consiste en la caracterización estructural de las capas de arseniuro de galio (GaAs) epitaxiadas sobre sustratos de silicio (Si) de cara a una mayor comprensión de los procesos de nucleación y ...