Caracterización por microscopía electrónica de transmisión de heteroestructuras InGaAs/InAIAs crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de InP 

Peiró Martínez, Francisca (Date of defense: 1993-09-03)

La finalidad de la investigación es la optimización del crecimiento de estructuras InX Ga1-XAs/InYA11-YAs/InP, para la obtención de dispositivos HEMT funcionales. Previamente se ha optimizado la preparacion de muestras ...