Departament d'Enginyeria Electrònica

La Universitat Autònoma de Barcelona és un referent a Europa, tant per la qualitat de la docència com per la innovació en la recerca. Fundada l’any 1968, la UAB s’ha convertit en un model a seguir per la seva voluntat de contribuir al progrés social mitjançant la formació dels professionals que requereixen els sectors econòmics i socials més dinàmics del país.

La UAB va ser una de les primeres universitats de l’Estat en rebre el reconeixement de Campus d’Excel·lència Internacional . Aquest Programa promou l’agregació d’institucions que tenen un projecte estratègic comú amb la finalitat de crear un entorn acadèmic, científic, emprenedor i innovador per obtenir una alta visibilitat internacional. La proposta de la Universitat Autònoma de Barcelona és el projecte “UABCEI: Aposta pel coneixement i la innovació”. Es tracta d’un pla estratègic que pretén dinamitzar l’entorn d’R+D+i amb la finalitat de situar la UAB entre les millors universitats europees.


Si sou doctor o doctora de la Universitat Autònoma de Barcelona i voleu publicar la vostra tesi a TDX, contacteu amb tdx@uab.edu. Per a més informació consulteu les preguntes més freqüents

Envíos recientes

High-resolution guiding patterns for the directed self-assembly of block copolymers 

Gottlieb, Steven (Fecha de defensa: 2018-10-15)

The presented thesis entitled “High-resolution guiding patterns for the directed self-assembly of block copolymers” investigates strategies to introduce long-range order into block copolymer thin films for nanopatterning ...

A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs 

Díaz Fortuny, Javier (Fecha de defensa: 2019-07-10)

Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las ...

Implementation of unsupervised learning mechanisms on OxRAM devices for neuromorphic computing applications 

Pedró Puig, Marta (Fecha de defensa: 2019-07-24)

La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren aplicacions de computació ...

Inkjet-printed devices for chemical and biosensing applications 

Martínez Domingo, Carme (Fecha de defensa: 2018-12-13)

En els darrers anys ha anat creixent l’interès per la tecnologia d’impressió electrònica (Printed Electronics). La impressió d'injecció de tinta és una tecnologia que ha evolucionat des de la impressió gràfica fins a la ...

Design, fabrication and characterization of semiconductor radiation sensors for future high energy physics experiments 

Benítez Casma, Víctor Hugo (Fecha de defensa: 2018-11-30)

Aquest treball se centra en els sensors de radiació de silici, especialment en el disseny, la fabricació i la caracterització dels sensors de microstrip per a experiments en física d'alta energia. La creació de prototips ...

Unattended design of wideband planar filters based on stepped impedance resonators (SIRs) through aggressive space mapping (ASM) 

Sans Soler, Marc (Fecha de defensa: 2018-07-27)

La síntesis de circuitos planares de microondas capaces de satisfacer un conjunto de especificaciones es un tema de interés en la actualidad dentro del campo de la ingeniería de microondas. A pesar de que la mayoría de las ...

Contact resistance and electrostatics of 2DFETs 

Jovell Megias, Ferran (Fecha de defensa: 2018-07-16)

Durant la darrera dècada, la popularització del grafè i altres materials de dues dimensions (2D) ha revolucionat la ciència de materials. Els nous fenòmens físics que esdevenen en aquests nous materials obren les ...

Quantum transport with Bohmian mechanics: application to graphene devices 

Colomés Capón, Enrique (Fecha de defensa: 2018-06-29)

La ley de Moore ha sido una piedra fundamental en la mejora de la electónica y la causa del aumento de nuestra capacidad computacional y de la existencia de la electónica. En estas dimensiones, herramientas de simulación ...

Analysis of impact of nanoscale defects on variability in mos structures 

Couso Fontanillo, Carlos (Fecha de defensa: 2018-06-06)

En los últimos años, la información y su análisis se han convertido en la piedra angular del crecimiento de nuestra sociedad, permitiendo la economía compartida, la globalización de productos y conocimientos, etc. Grandes ...

Analysis and modeling of filamentary conduction in Hf02-based structures 

Rodríguez Fernández, Alberto (Fecha de defensa: 2018-06-08)

Actualmente nos enfrentamos a una revolución en los campos de la microelectrónica y las tecnologías de la información y la comunicación, que seguramente afectaran nuestra forma de vida en los años venideros. En este sentido, ...

Nuevas estrategias para el diseño de sistemas Chipless-RFID y aplicaciones 

Herrojo Prieto, Cristian (Fecha de defensa: 2018-05-25)

Actualmente, la identificación por radiofrecuencia (RFID) es una de las tecnologías con mayor crecimiento dentro de la industria de las tecnologías de la información y las comunicaciones (TIC) y de la identificación ...

Micro and Nano-electro-mechanical devices in the CMOS back end and their applications 

Riverola Borreguero, Martín (Fecha de defensa: 2017-12-04)

Recentment, l'escalat de la tecnologia complementaria metall-òxid-semiconductor (CMOS) està arribant a límits fonamentals, principalment degut a les fuites de corrent no nul·les que el transistor presenta. És per això que ...

Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors 

Prache, Pierre (Fecha de defensa: 2017-11-09)

Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en ...

Transmission lines loaded with electrically small resonators: modeling, analysis and applications to microwave sensors 

Su, Lijuan (Fecha de defensa: 2017-09-29)

El sensado por microondas para la caracterización de materiales es una tecnología prometedora y en desarrollo que se ha utilizado satisfactoriamente en las últimas décadas para aplicaciones en industria, química, ingeniería, ...

Analysis of bidirectional switch power modules for matrix converter application 

Gálvez Sánchez, José-Luis (Fecha de defensa: 2017-10-24)

Existeix una creixent demanda en aplicacions industrials que requereixen una transferència bidireccional de potència entre la xarxa elèctrica i una càrrega i viceversa com per exemple: elevadors, escales mecàniques, energies ...

Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto 

Moras Albero, Miquel (Fecha de defensa: 2017-09-22)

El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. ...

Advanced nanoscale characterization concepts for copper interconnection technologies 

Berthold, Tobias (Fecha de defensa: 2017-07-17)

En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. Como Cu es susceptible ...

Modelización compacta de las características de conducción de dispositivos de conmutación resistiva 

Blasco Solans, Juli (Fecha de defensa: 2017-06-19)

La línea de investigación en la que se enmarca esta tesis doctoral se sitúa en torno a un modelo compacto para las características de conducción de estructuras metal-aislante-metal (MIM) en las que se observa el fenómeno ...

On the displacement current in THz quantum nanodevices: application to the simulation of graphene transistors 

Zhan, Zhen (Fecha de defensa: 2017-07-03)

En la actualidad, la comunidad científica está trabajando en dispositivos electrónicos en la nanoscala para frecuencias de TeraHertzios (THz). Para tales frecuencias, la corriente de desplazamiento -la variación temporal ...

Analysis of the Resistive Switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications 

Maestro Izquierdo, Marcos (Fecha de defensa: 2017-06-22)

En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de ...

Más