Ara mostrant els elements 1-3 de 3
Vilà i Arbonès, Anna Maria (Data de defensa: 1995-01-01)
El objetivo de este trabajo consiste en la caracterización estructural de las capas de arseniuro de galio (GaAs) epitaxiadas sobre sustratos de silicio (Si) de cara a una mayor comprensión de los procesos ...
Garrido Fernández, Blas (Data de defensa: 1993-01-01)
A lo largo de este trabajo se han estudiado la estructura y propiedades del SiO(2) y de su interficie con el silicio. La estructura del sistema depende de la tecnología empleada en el crecimiento del ...
Peiró Martínez, Francisca (Data de defensa: 1993-09-03)
La finalidad de la investigación es la optimización del crecimiento de estructuras InX Ga1-XAs/InYA11-YAs/InP, para la obtención de dispositivos HEMT funcionales. Previamente se ha optimizado la ...